（用于半导体电阻焊接的热固性银） 制作高质量电和机械触点 特点 ·单组分体系 ·高粘结强度 ·电阻触点 ·低触点电阻 ·低热阻抗 ·低热应力 ·宽温度稳定范围-65℃至+275℃ ·低去气性 应用 用于晶片粘结——用于晶体管、检波器、热控管、集成电路和混合电路中硅、锗和其他半导体材料的粘结。还可粘结玻璃、金属、陶瓷、云母、塑料、石墨和石英等材料。可供大规模生产及实验室使用。 说明 OHMEX Ag是含还氧化银粘结组分的导电银配方。它以稀薄的膏状物的形式供货，使用方便。这一配方具有独特性，当适当固化后，具有高导电性能和良好粘结强度。OHMEX Ag用来代替铅-锡焊剂或其他合金，从而避免焊剂污染和暴露于过高温度，并能简化工艺过程。OHMEX Ag对所有金属都能焊制低电阻触点，而且对绝缘体也具有同样良好粘结性能。OHMEX Ag粘结剂也可用于半导体材料，只要其表面已经镀制上金属，或高度“掺杂”并已抛光了的话。OHMEX Ag在下面领域中广泛用于粘结半导体晶片、单块和混合集成线路、二极管和晶体管，陶瓷基板上的薄膜，用于所有组装结构。 性质 体系 | 单组分 | 组成 | 填充着银的环氧树脂 | 密度 | 2.5 | 粘度 | 90,000 cps. | 电阻率，标定值 | 5 x 10-4 欧姆-cm | 热导率 | 100 BTU/ft2/hr./℉./in. | 去气 | 0.097% 在100℃ (1250 hours) 0.7% 在125℃ (1000 hours) ＜1.2% 在160℃ (1000 hours) | 粘结抗剪强度 | ＞1000 PSI | 温度稳定范围 | -65℃至+275℃（间隔可至+325℃） | 线性热膨胀系数 | 5 x 10-5 cm/cm/℃ | 贮存 | 40℉或更低 | 有效期 | 6个月 | 稀释剂 | 乙二醇一丁醚乙酸酯 | 固化温度 | 150℃（最低） |
指导意见 这里虽然也供应特殊稀释剂，但在大多数应用场合，直接使用所提供的OHMEX Ag便可以了，不必进一步稀释。使用时，将OHMEX Ag加到欲粘结的部位，轻轻揿压，然后在150℃-160℃干燥箱内干燥至少15小时，或是在150℃干燥1小时，然后再在265℃至少干燥1小时。 | 
