（用于低K介电质和硅装置的渣滓去除剂） 去除低钾介电材料灰性渣滓的有效氧化和螯合体系，去除蚀刻污染物，从而使硅p-n结装置稳定化。 特点 · 可得到化学洁净表面 · 不侵蚀基板 · 接点漏电性低 · 电子雪崩击穿锐 · 高温电学性质稳定 · 产品产率高 · 无危害性 · 可用水冲洗 低K介电质渣滓去除剂Sequestrox 说明 Sequestrox配方支持低于0.25m技术的向前进展。厂家需要用渣滓去除剂清洗电路、金属线、灰沟和金属蚀刻渣滓。否则蚀刻过程产生的渣滓行将影响装置的效率和性能。 Sequestrox体系采用专利化学技术络合和螯合渣滓和污染物。Ⅰ型到Ⅳ型Sequestrox不含有钠。所有各型号Sequestrox用过后皆易用去离子水冲洗。而且不苛求马上冲洗。Sequestrox化学作用缓和了对敏感金属蚀刻率低。 益处 · 低温加工处理过程 · 与大多数低K膜相匹配 · 水溶液，无危害性 · 低氧化蚀刻速率 · SequestroxⅠ型、Ⅱ型和Ⅲ型与Ag、Cu、Ni相匹配 · SequestroxⅣ型与Mo、W、Ag、Al、Cu及钢相匹配 应用 Sequestrox体系与HDPE、LDPE、PP、橡胶以及聚四氟乙烯涂盖材料相匹配。 SequestroxⅠ型、Ⅱ型和Ⅲ型 第一步，预先混合等体积的SequestroxⅠ型和Ⅱ型。将装置立即放在此混合液中，并作超声洗涤1-2分钟。 第二步，加入Ⅲ型Sequestrox溶液（每100ml上述混合液加Ⅲ型溶液10ml），再继续作超声洗涤1.5分钟。用去离子水冲洗。 Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox用于洗涤铜和镍 第一步，预先混合好等体积的Ⅰ型和Ⅱ型溶液。立即将装置放入此混合液中并作超声洗涤1-2分钟。 第二步，用去离子水冲洗。然后用丙酮，或最好用Transene100作超声彻底清洗。 Ⅳ型Sequestrox用于清洗钨和钼 第一步，将装置放在Ⅳ型Sequestrox溶液中，在室温下超声洗涤3分钟。 第二步，先用去离子水冲洗，然后用丙酮或Transene100冲洗。 用于硅装置的Sequestrox蚀刻添加剂 说明 Sequestrox体系是特殊电解质配方，配合用于蚀刻过程生产硅p-n结装置以改进产品质量和效率。标准蚀刻过程（硝酸-HF-醋酸）虽能去除蚀刻掉的硅，但是总有渣滓污染物在表面残留。这些杂质来源于蚀刻溶液和硅装置的暴露的金属部分。为了避免装置发生故障，必须彻底清除所有这些污染物质。采用Sequestrox体系作为蚀刻添加剂便可顺利完成此项任务。 生产Sequestrox体系采用的试剂能有效氧化、络合和螯合硅表面产生的污染物。Sequestrox体系不含有钠，而且易于用去离子水冲洗掉。供应几种不同型号的Sequestrox体系，客户可根据硅装置中的不同金属部件进行选择。 Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型Sequestrox 建议用于有银和铜部件的半导体装置、铅-锡或其他焊料和镀镍硅件的蚀刻过程。 Ⅳ型Sequestrox 建议用于带有钼、钨触点和有银、铝、铜和钢部件的半导体装置的蚀刻过程。 应用 Sequestrox一般是通常在酸蚀刻过程之后用来去除p-n结装置的损伤硅的。使用时对Sequestrox体系必须作适当选择。使用Sequestrox蚀刻添加剂的典型步骤如下： Ⅰ型、Ⅱ型和Ⅲ型Sequestrox （用于带有银线的硅整流装置） 第一步，在硝酸-HF-醋酸混合液中浸蚀装置以去除损伤边沿。用去离子水冲洗之。 第二步，预先混合等体积的Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox溶液。立即将装置放到此混合液中，超声洗涤1-2分钟。 第三步，加入Ⅲ型Sequestrox溶液（每100ml上述混合液加10 mlⅢ型溶液），再继续超声洗涤1.5分钟。用去离子水冲洗之。 第四步，用丙酮，最好用Transene-100作最后超声洗涤。 Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox溶液 （用于铜螺栓固定的硅整流器） 第一步，在固定之前将硅片在硝酸-HF-醋酸混合液中进行浸蚀。 第二步，预先混合等体积Ⅰ型和Ⅱ型Sequestrox溶液。立即将装置放在混合液中，超声冲洗1-2分钟。 第三步，用去离子水冲洗。然后再用丙酮，最好是Transene-100，作最后全面冲洗。 Ⅳ型Sequestrox （用于带有钼触点的硅整流器） 第一步，预先将硅进行浸蚀或固定。或是将带有触点的硅进行旋转浸蚀以去除p-n结的损伤硅。 第二步，将装置放在Ⅳ型Sequestrox溶液中，在室温下超声洗涤3分钟。 第三步，用去离子水冲洗。然后用丙酮或Transene-100作超声洗涤。 | 
