说明 Transene NPD阴性光刻胶显影剂是能使暴光的阴性光刻胶显影的高纯净有机溶液。 提供多种专利溶剂显影液用于不同光刻胶的显影。它们分别与所使用的光刻胶相匹配。这些显影剂是根据具体工艺条件所要求的酸度大小进行选择的。所有阴性光刻胶显影化学药品都以工作溶液的形式出售。 性质 产品 | 二甲苯 : 斯托达德溶剂（Stoddard） | NPD 4001 | NA | NPD 4030 | 100:0 | NPD 4032 | -- | NPD 4033 | 1:2 | NPD 4040 | NA | NPD 4050 | 1:1 | PKPⅡ型显影剂 | NA |
显影 在显影过程中，根据显示图象情况可用显影液采用冲洗，喷液或浸泡等形式将未暴光的光刻胶除去，并同时保护好基体。为了得到极高的细线分辨率，建议用喷液显影方法。对于要求不甚严格的图案，如线宽和间距大于7μ，同时又采用机械法或通氮气发泡时可采用浸泡法显影。下表给出用喷液和浸泡法显影所需用的时间： 典型喷涂时间 溶液 | 时间（秒） | 显影剂，二甲苯，斯托达德溶剂 | 10 ～ 15 | 冲洗，n-丁基乙酸酯 | 10 ～ 15 | 氮气干燥 | 15 ～ 20 |
典型浸泡显影时间 溶液 | 时间（秒） | 显影剂，二甲苯，斯托达德溶剂 | 60 ～ 75 | 冲洗，n-丁基乙酸酯 | 20 ～ 30 | 氮气干燥 | 15 ～ 20 |
用红外线烘烤（预蚀刻） 在一个对流烘箱中于140℃±5℃用红外线烘烤25±5分钟，在烘烤期间显影溶剂蒸发掉，同时光刻胶和基体间的粘结力增强。这里应当指出，红外线辐射能影响不同基体的温度是各不相同的。烘烤和蚀刻之间的时间最多为4小时。 蚀刻 光刻胶与酸性和碱性金属蚀刻剂以及氢氟酸缓冲液都相匹配。时刻速率决定于温度，搅拌速度和蚀刻混合物的种类。而且这里难以详细说明各种不同蚀刻剂对光刻胶的影响。 光刻胶的去除 光刻胶可以用任何一种常用化学体系去除掉。若干去除剂溶液已有市售，有的需要加热，有的需要擦洗。 | 
