（用于半导体技术） 用于半导体装置的半导体级磷、砷、锑和硼。 适当的剂量包装供扩散工艺使用。 施主型 粒状五氧化二磷（P2O5） 三氧化二砷（As2O3） 受主型 粒状硼酐（三氧化二硼B2O3） 粉状硼酸（H3BO3） 说明 Transene扩散剂是超纯半导体级化学试剂，它以合适方便的剂量包装出售，供应固态扩散工艺的需求。Transene扩散剂不含水分，其规格超过了ACS关于化学纯试剂材料的标准。供应类型包括硼酸、硼酐（受主型）和五氧化二磷（施主型），包装以氮气保护。 Transene扩散剂是通过扩散工艺掺入第Ⅳ族元素半导体的最主要的杂质材料。Transene扩散剂颗粒大小均匀，这就保证对吹径扩散仪的载气中扩散剂的浓度能作到良好控制。固态扩散过程依赖于硅（或锗）与高温下产生的硼和磷化合物蒸汽的化学反应。在半导体表面生成的薄膜变成了硼或磷的无限扩散之源。这些扩散过程易于调节控制从而得到p-n结和电阻触点。 Transene扩散剂用于生产制作平面晶体管、场效应装置、二极管、整流器以及其他硅和锗装置。使用Transene高纯扩散剂是采用扩散技术制作高可靠性、优良质量半导体的基本保证。 Transene扩散剂（最低纯度99.9%）的物理性质 性质 | 硼酸 | 硼酐 | 五氧化二磷 | 分子式 | H3BO3 | B2O3 | P2O5 | 熔点 | 61.84 | 64.69 | 141.96 | 蒸发热（K卡/克分子） | -- | -- | 22.7（P2O5） | 正四面体半径比 B/Si or P/Si | 0.75 | 0.75 | 0.93 | 杂质浓度 （在锗中） （在硅中） | 0.0104 0.045 | 0.0104 0.045 | 0.0120 0.050 | 活化能（K卡/克分子） （在锗中） （在硅中） | 105 85 | 105 85 | 57 85 | 指前因子扩散系数，Do（cm2/秒） （在锗中） （在硅中） | 1.6×109 10.5 | 1.6×109 10.5 | 2.5 10.5 | 扩散常数（cm2/秒） （在锗中） （在硅中） | 8.7×10-15 @ 950℃ 6.4×10-12 @ 1275℃ 0.4×10-12 @ 850℃ | 7.7×10-15@ 950℃ 5.0×10-12@ 1235℃ 8×10-11@ 900℃ | 表面浓度（原子数/cm3） （在硅中） | 8×1021 @ 950℃ 1×1021@ 1275℃ | 2.5×1021 @ 950℃ 6×1020 @ 1235℃ |
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