(半导体缺陷描绘蚀刻剂) (用以表征和鉴定半导体中的晶体缺陷) WRIGHT蚀刻剂—硅 AB-蚀刻剂—砷化镓 Wright蚀刻剂可以揭示晶体位错、堆垛层错、漩涡、条纹和滑移线。此蚀刻剂可应用于广范围电阻的P型和N型晶体的(100)和(111)晶向。可以用来表征浮区和Czochralski晶体。 AB蚀刻剂可蚀刻(100)和(110)晶面,从而揭示晶体位错、条纹、堆垛层错和滑移线。Wright蚀刻剂和AB蚀刻剂可有效地清晰勾画出晶体缺陷,基低蚀刻速率和低释热量使得便于精密控制,而且通过蚀刻所显示的晶体缺陷具有良好结晶学特征。 性质 组成 | 强氧化酸 | PH | <1 | 密度 | 1.1-1.2 | 蚀刻容器 | 聚乙烯或聚丙烯 | 冲洗 | 水 | 贮存 | 室温、避热 | 处理 | 以水稀释,以碱中和 |
注意事项:含有氢氟酸,使用时要当心。 以夸脱和加仑量聚乙烯瓶装出售 |