膜 | TRANSENE公司蚀刻剂 | 蚀刻速率 | 光刻胶 | 应用 |
Al | 标准铝
蚀刻剂-A
蚀刻剂-D | 25℃ 40℃
30Å/秒 80Å/秒
40Å/秒 125Å/秒 | 阴性和阳性 | 半导体和集成电路
GaAs 和 GaP 装置 |
Al2O3 | TRANSETCH - N | 120Å/秒，180℃ | SiO2 | 半导体装置 |
Co2Si | 硅化钴 | 10Å/秒，25℃ | 阴性和阳性 | 微电子元件 |
Cr | 铬蚀刻剂-473
铬蚀刻剂-TFD
铬蚀刻剂-1020 | 25℃ 4℃ 14Å/秒 25Å/秒
50Å/秒 | 阴性和阳性 | 薄膜线路 |
Cr-CrO | 铬蚀刻剂-TFD
铬蚀刻剂-1020 | 不固定 不固定 | 阴性，阳性 | 薄膜线路 |
Cr-Si
Cr-SiO | 铬陶瓷
蚀刻剂 - TFE | 1000Å/分，50℃ | 阴性 | 薄膜线路 |
Cu | 铜蚀刻剂 100
铜蚀刻剂 200
APS 铜 100 | 1 密尔/分，50℃
0.5密尔/分，50℃
80Å/秒，40℃ | 屏幕光刻胶
阴性和阳性 | P.C. 板
薄膜线路 |
GaAs | 砷化镓 | 20-100Å/秒 | 阴性 | 微电子件 |
GaN | 氮化镓 | 80Å/分，180℃ | 阴性和阳性 | 半导体和 IC |
Ga2O3 | 氧化镓 | 10秒@25℃ | 阴性 | 钯触点 |
GaP | 磷化镓 | A面(Ga):115μ/小时，80℃
B面(P):210μ/小时，80℃ | 阴性 | 光发射二级管 |
Ge | 锗 | 250Å/秒，20℃ | 阴性和阳性 | 半导体装置 |
Au | 金蚀刻剂 TFA | 28Å/秒，25℃ | 阴性和阳性 | 薄膜线路 |
In2O3 | 氧化铟 | 3分，25℃ | 阴性 | 钯触点 |
InP | 磷化铟 | 30分，25℃ | 阴性 | 钯触点 |
Fe2O3 | 氧化铁 ME-10 | 50Å/秒，25℃ | 阴性和阳性 | 微电子件 |
Mo | 钼蚀刻剂 TFM | 55 Å/秒，30℃
85 Å/秒，60℃ | 阴性 | 钯触点 |
Nb | 铌 | 50Å/秒，25℃ | 阴性和阳性 | 微电子件 |
Ni-Cr | 镍铬蚀刻剂 - TFC
镍铬蚀刻剂 - TFN | 20Å/秒，25℃
50Å/秒，40℃ | 阴性和阳性 | 薄膜线路 |
Ni | 镍蚀刻剂 - TFB
镍蚀刻剂 - TFG | 30Å/秒，30℃
50Å/秒，40℃ | 阴性和阳性 | 薄膜线路 |
Pd | 钯蚀刻剂 - TFP | 110Å/秒，50℃ | 阴性和阳性 | 薄膜线路 |
Pt | 铂蚀刻剂 1:1 | 10Å/秒，25℃ | 阳性 | 薄膜线路 |
Si | 硅慢速蚀刻剂
硅中速蚀刻剂 | 不固定
不固定 | KMER
PKP Ⅱ型 | 半导体装置 |
SiO2 | HF 缓冲剂（热生长） 硅氧蚀刻剂（沉积） | 800Å/分，25℃
2400Å/分，25℃ | 阴性和阳性 | 半导体和IC |
SiO | 一氧化硅蚀刻剂 | 5000Å/分，85℃ | 阴性和阳性 | 半导体装置 |
Si3N4 | TRANSETCH - N | 125Å/分，180℃ | SiO2 (Silox) | 半导体与集成线路 |
Ag | 银蚀刻剂 - TFS | 200Å/秒，25℃ | 阴性和阳性 | 半导体和IC |
Ta | 钽蚀刻剂-8607 | 70Å/秒，25℃ | 阴性和阳性 | 电容器，IC |
Ti | 钛蚀刻剂 - TFT | 25Å/秒，20℃
50Å/秒，30℃ | 阴性和阳性 | 集成线路 |
Ti-W | 钛钨蚀刻剂 TiW-30 | 20Å/秒 | 阴性和阳性 | 粘结层 |
W | 钨蚀刻剂 TFW | 140Å/秒，30℃ | 阴性和阳性 | 集成线路 |
SnO,ITO | TE-100 | 30分，25℃ | 屏幕光刻胶 | 电子线路 |
注：阴性光刻胶材料包括KPR、KTFR、PKP II型和WAYCOAT；
阳性光刻胶材料包括
AZ－111、AZ 1350和Micro Positive 809（微阴性809）。
